Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует
до конца 2026 года представить серверные модули DDR5 RDIMM с архитектурой ячеек
4F². Если компания выполнит обещание, она опередит Samsung примерно на два
года: южнокорейский производитель рассчитывает внедрить аналогичную технологию
в 2028 году. Об этом рассказал президент CXMT Цао Каньюй на конференции
Integrated Chip and Chiplet Conference в Шанхае.Источник изображения: CXMTМодули RDIMM предназначены для серверов, центров обработки данных и
высокопроизводительных вычислительных систем. Архитектура 4F² позволяет
уменьшить площадь одной ячейки DRAM по сравнению с традиционной конструкцией
6F². Теоретически это сокращает площадь ячейки примерно на треть и дает
возможность разместить больше памяти на одном кристалле. Предполагаемый прирост
плотности составляет 30–50%.CXMT работает над архитектурой 4F² с 2021 года. По предварительным данным,
новая память может сочетаться с технологическим процессом G5 DRAM класса 15 нм.
При этом первые продукты могут использовать лишь отдельные элементы архитектуры.Параллельно компания развивает технологию High-k Metal Gate (HKMG), которая
помогает уменьшать токи утечки и энергопотребление транзисторов. Она предполагает
использование диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (например,
оксида гафния) в сочетании с металлическими затворами. К концу 2026 года CXMT рассчитывает довести производственные мощности до 300
тысяч 300-миллиметровых кремниевых пластин в месяц. Компания также развивает
выпуск памяти HBM для ускорителей искусственного интеллекта и строит новые
предприятия в Шанхае и Хэфэе. В перспективе совокупная мощность может достичь
600 тысяч пластин в месяц, а некоторые прогнозы допускают, что к 2030 году CXMT
обойдет Micron по объемам производства. Эти оценки зависят от доступности
оборудования, выхода годных чипов и спроса.Samsung разрабатывает собственную реализацию 4F² в рамках технологического
процесса D0a, ранее известного как B1b. Компания планирует использовать
гибридное соединение отдельных пластин с массивом ячеек памяти и управляющей
логикой. Такой подход позволяет повысить плотность размещения компонентов, но
требует сложного оборудования и может увеличить себестоимость производства. Серийный
выпуск памяти с применением этой технологии ожидается в 2028 году.На рынке DRAM по-прежнему доминируют Samsung, SK hynix и Micron, но CXMT последовательно
сокращает технологическое отставание.