Крупнейший китайский производитель оперативной памяти
ChangXin Memory Technologies (CXMT) планировал использовать технологические
наработки Samsung для ускоренного создания собственного производства DRAM.
Такие утверждения прозвучали в рамках уголовного дела в Южной Корее об утечке
технологий Samsung, сообщает Maeil Business.Источник изображения: CXMTКлючевые показания дал бывший инженер Samsung по фамилии
Чон, проработавший в южнокорейской компании 28 лет и позднее перешедший в CXMT.
В апреле 2026 года южнокорейский суд приговорил его к семи годам лишения
свободы за незаконное получение конфиденциальной технологической документации
Samsung.По материалам дела, речь идет о так называемом Process
Recipe Plan (PRP) — технологическом «рецепте», содержащем около 600 этапов
производства DRAM, в том числе с использованием 18-нанометрового техпроцесса
Samsung. По словам Чона, получение этих данных якобы изначально являлось частью
стратегии CXMT, а не разовой попыткой воспользоваться чужими разработками уже
после создания собственного производства.Бывший инженер утверждает, что на начальном этапе у CXMT не
было необходимой исследовательской и производственной инфраструктуры для
самостоятельной разработки технологии с нуля, поэтому руководство компании
якобы сделало ставку на получение технологической документации Samsung. Технологический рецепт производства полупроводников сам по
себе еще не позволяет просто скопировать память. Однако подобные документы
имеют чрезвычайно высокую ценность: в них могут быть описаны последовательность
сотен операций, параметры травления и осаждения материалов, отжиг, очистка, температуры,
давление и необходимое производственное оборудование. Доступ к такой информации способен значительно сократить
количество дорогостоящих экспериментов и ускорить разработку собственного
техпроцесса. Обычно создание нового производственного процесса DRAM от
разработки элементов до достижения приемлемого выхода годных чипов может
занимать у опытных производителей от трех до пяти лет, а у новичка — еще
больше.При этом одного PRP недостаточно для полного воспроизведения
технологии. Для этого необходимы сведения об архитектуре транзисторов и
конденсаторов памяти, фотошаблонах, топологии, проектных нормах и физических
размерах элементов. Часть такой информации теоретически может быть получена
путем обратного инжиниринга готовых микросхем.CXMT запустила массовое производство DDR4 в 2019 году на
собственном 22-наннометровом техпроцессе, а выпуск DRAM по технологии 18 нм начался
в 2023-м. Как именно предполагаемая утечка Samsung повлияла на конкретные
поколения памяти CXMT, из опубликованной информации однозначно не следует.История приобретает дополнительное значение на фоне
стремительного роста китайской полупроводниковой промышленности. CXMT сегодня
считается крупнейшим производителем DRAM в Китае и активно увеличивает
мощности, стремясь конкурировать с Samsung, SK hynix и Micron.