Legatus

Samsung рассчитывает в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс

Апрель 15
10:17 2020

Компания Samsung намерена в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс. Для этого техпроцесса придется существенно изменить конструкцию транзистора, фактически создав транзистор нового поколения.

Сейчас специалисты Samsung работают над технологией Gate-All-Around FET (GAAFET), которая обеспечит намного лучшее управление каналом и предотвратит утечку при уменьшении размеров элементов. Однако для 3 нм необходимо сделать следующий шаг. Южнокорейский производитель рассказал о соответствующей разработке под названием Multi Bridge Channel FET или MBCFET. Именно она будет использоваться в 3-нанометровых микросхемах.

Samsung рассчитывает в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс
Samsung рассчитывает в 2022 году разработать 3-нанометровый техпроцесс

Отметим, что MCBFET является частным случаем более общего подхода, принятого в GAAFET. При этом MCBFET, по оценке Samsung, позволит уменьшить энергопотребление вдвое и повысить скорость на 30%. Площадь, занимаемая транзистором, уменьшится на 45%. Стоит уточнить, что сравнение проводится с неким 7-нанометровым техпроцессом, вероятно, с техпроцессом Samsung, построенным на использовании FinFET. Интересной особенностью MCBFET является возможность укладывать транзисторы друг на друга, чтобы использовать еще меньше места по сравнению с обычным FinFET. Также можно менять ширину транзисторов в стеке, адаптируя его под определенные технические требования, например, по энергопотреблению или быстродействию.

Share

Статьи по теме

Последние новости

Правительство одобрило гранты до 16 млн грн для восстановления перерабатывающих предприятий

Читать всю статью

Наши партнёры

UA.TODAY - Украина Сегодня UA.TODAY
enfrdeitptruesuk