Китайский производитель оборудования для полупроводников
Naura Technology Group сообщил о разработке двухэтапного процесса травления,
который может использоваться при создании 3D DRAM. По данным компании,
технология позволяет равномерно обрабатывать структуры как минимум с 64 парами
слоев и потенциально дает возможность повышать плотность памяти за счет
вертикального масштабирования.Изображение сгенерировано GeminiИсточник изображения: Gemini3D DRAM считается одним из перспективных направлений
развития оперативной памяти. Как и в случае с 3D NAND, производители постепенно
переходят от преимущественного уменьшения элементов в горизонтальной плоскости
к формированию многослойных вертикальных структур. Для китайской
полупроводниковой отрасли такой подход особенно важен из-за ограниченного
доступа к передовой EUV-литографии.Процесс Naura рассчитан на многослойные структуры из
чередующихся слоев кремния (Si) и кремний-германия (SiGe). При создании 3D DRAM
определенные слои SiGe необходимо селективно удалить, сформировав пространство
для будущих элементов памяти. Одна из главных проблем заключается в том, чтобы
равномерно протравить глубокую структуру, не повредив расположенные между
слоями участки кремния.Naura предлагает разделить процесс на два этапа. Сначала
нейтральные фторсодержащие радикалы преимущественно воздействуют на SiGe,
практически не затрагивая кремний. Затем проводится плазменная очистка, которая
удаляет побочные продукты реакции. Без этого они могут накапливаться внутри
структуры и препятствовать равномерному травлению нижних слоев.По данным Naura, селективность травления SiGe относительно
кремния превышает 500:1 — то есть кремний-германий удаляется более чем в 500
раз быстрее кремния. Для структуры из 64 пар слоев заявлена равномерность
обработки более 95%.Разработка потенциально представляет интерес для китайских
производителей памяти, той же CXMT, которая пытается сократить отставание от
Samsung, SK hynix и Micron. Вертикальное масштабирование в перспективе может
позволить увеличивать плотность DRAM без сильной зависимости от дальнейшего
уменьшения размеров элементов с помощью передовой литографии.