Использование испарительных камер в премиальных смартфонах уже стало стандартом, но Samsung пошла еще дальше. В своем новом процессоре Exynos 2600 южнокорейский гигант применил технологию Heat Pass Block (HPB), которая устанавливает медный радиатор непосредственно на кристалл SoC для улучшенного отведения тепла. Практические тесты показали, что этот подход творит чудеса, опережая даже экстремальное и опасное охлаждение жидким азотом.

Изображение: Geekerwan

Техно-блогер и ютубер Geekerwan провел масштабное сравнительное тестирование, чтобы проверить эффективность разработки Samsung в реальных условиях. Результаты оказались интересными.

Большинство современных производителей процессоров, включая Apple, используют технологию PoP (Package-on-Package). Она подразумевает «послойное» наслоение оперативной памяти DRAM прямо поверх кремниевого кристалла процессора ради экономии места внутри корпуса смартфона.

Однако у этой медали есть обратная сторона: тепло, выделяемое оперативной памятью, нагревает сам процессор. Из-за этого чипсет начинает сбрасывать частоты (троттлить) гораздо быстрее, лишая пользователя стабильной пиковой производительности.

В ходе экспериментов Geekerwan попытался охлаждать SoC Snapdragon 8 Elite Gen 5 с помощью системы с жидким азотом. Выяснилось, что даже под воздействием сверхнизких температур флагман от Qualcomm не способен стабильно удерживать свою максимальную тактовую частоту в 4,61 ГГц в одноядерном режиме. В то же время встроенная технология Heat Pass Block от Samsung на SoC Exynos 2600 показала куда более высокую эффективность в контроле теплоотвода.

Несмотря на превосходство корейского подхода к охлаждению SoC, тест показал, что Exynos 2600 внутри смартфона Galaxy S26+ все же подвержен троттлингу при длительных нагрузках. Однако это связано с внешними факторами: Galaxy S26+ оснащен не такой массивной испарительной камерой, как старшая модель Galaxy S26 Ultra или конкурент iPhone 17 Pro Max.

Решение проблемы оказалось максимально простым и безопасным. Чтобы полностью вернуть Exynos 2600 к пиковой производительности во время затяжных игровых сессий, достаточно закрепить на задней панели смартфона обычный съемный вентилятор.

Успех Samsung с технологией HPB уже заставил других игроков индустрии пересмотреть свои планы. Утечки о Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro (первой 2-нанометровой SoC Qualcomm) указывают на то, что американская компания намерена внедрить аналогичное решение. Ожидается, что Apple и MediaTek также оперативно скопируют решение Samsung в своих будущих релизах.

Сама же Samsung не планирует останавливаться на достигнутом. Для следующего поколения процессоров (Exynos 2700) компания разрабатывает технологию SBS (Side-by-Side). Вместо вертикального «бутерброда» процессор и память DRAM будут располагаться бок о бок на одной подложке. Это позволит эффективно и равномерно охлаждать как вычислительные ядра CPU, так и чипы оперативной памяти, что станет следующим шагом в эволюции мобильного аппаратного обеспечения.