Китайские ученые из Фуданьского университета представили экспериментальную флеш-память нового поколения, которая способна хранить информацию, используя всего один электрон. Если технология выйдет за пределы лаборатории, она может радикально снизить энергопотребление электроники.Изображение сгенерировано mai-image-2.5 Сейчас для надежного хранения одного бита данных микросхемам памяти требуется около 200 тысяч электронов. Такой запас необходим, чтобы защитить информацию от помех и случайной потери данных.Исследователи предложили принципиально иной подход. Они создали двумерную структуру на основе графена, которая позволяет удерживать единственный электрон и при этом значительно усиливать его электрический сигнал. Во время экспериментов амплитуда сигнала достигла примерно 0,5 В — это на порядок выше, чем у большинства подобных экспериментальных разработок, где речь обычно идет лишь о десятках милливольт.Новая технология получила название Guiyi («Возвращение к одному»). По словам авторов, оно вдохновлено буддийской метафорой о том, что даже крошечное горчичное зерно способно вместить целую гору. Так исследователи хотели подчеркнуть идею хранения больших объемов информации с помощью минимального количества физических носителей.Руководитель проекта, профессор микроэлектроники Чжоу Пэн, уже заявил о намерении до конца года создать компанию для коммерциализации разработки. По его оценке, первые устройства на базе новой памяти могут появиться примерно через пять лет.Эта работа стала продолжением предыдущих проектов команды. В 2025 году исследователи представили энергонезависимую память PoX, а затем разработали платформу Changying, которая позволяет объединять двумерные элементы памяти с традиционными кремниевыми микросхемами.Пока Guiyi остается лабораторной разработкой. До ее появления в серийных устройствах ученым еще предстоит решить ключевые задачи — научиться массово производить такие чипы и подтвердить их долговременную надежность в реальных условиях эксплуатации.